STGW25M120DF3
produsen:
STMikroelektronika
Deskripsi:
IGBT Transistor IGBT & Daya Bipolar
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor ::
250 nA
Kategori Produk ::
Transistor IGBT
Gaya pemasangan::
Melalui Lubang
Arus Kolektor Kontinyu pada 25 C ::
50 A
Pd - Disipasi Daya ::
326 W
Tegangan Kolektor-Emitor VCEO Max ::
1200 V
Paket / Kasus ::
KE-247-3
Suhu Operasional Maksimum ::
+ 175 C
Tegangan Gerbang Emitor Maksimum ::
20 V
Kemasan ::
Tabung
Konfigurasi ::
Single
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor ::
1,85 V
Pabrikan ::
STMikroelektronika
Pengantar
STGW25M120DF3, dari STMicroelectronics, adalah IGBT Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: