GT30J121 ((Q)
produsen:
TOSHIBA
Deskripsi:
IGBT Transistor 600V/30A DIS
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Kategori Produk ::
Transistor IGBT
Gaya pemasangan::
Melalui Lubang
Tegangan Kolektor-Emitor VCEO Max ::
600 V
Paket / Kasus ::
KE-3P
Suhu Operasional Maksimum ::
+ 150 C
Tegangan Gerbang Emitor Maksimum ::
+/- 20V
Konfigurasi ::
Single
Arus Kolektor Kontinyu pada 25 C ::
30 A
Pabrikan ::
TOSHIBA
Pengantar
GT30J121 ((Q), dari Toshiba, adalah IGBT Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global,yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: