SQJ850EP-T1_GE3
produsen:
Semikonduktor Vishay
Deskripsi:
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Berkualifikasi
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Polaritas Transistor::
Saluran-N
Teknologi ::
Ya
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan ::
24 A
Gaya pemasangan::
SMD/SMT
Nama dagang ::
ParitFET
Suhu Operasional Minimum::
- 55 C
Paket / Kasus ::
PowerPAK-SO-8L-4
Suhu Operasional Maksimum ::
+ 175 C
Modus Saluran::
Peningkatan
Vds - Tegangan Kerusakan Sumber Saluran ::
60 V
Kemasan ::
Kumparan
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber ::
1,5 V
Kategori Produk ::
MOSFET
Rds On - Resistansi Sumber Saluran ::
0,019 Ohm
Jumlah Saluran ::
1 Saluran
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang ::
+/- 20V
Qg - Biaya Gerbang ::
30 nC
Pabrikan ::
Semikonduktor Vishay
Pengantar
SQJ850EP-T1_GE3, dari Vishay Semiconductors, adalah MOSFET. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang dalam bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait
SUD50N06-09L-E3
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
SIHF23N60E-GE3
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
SIS 472DN-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
|
|
|
SIHF23N60E-GE3 |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SIS 472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
|
|
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: