IPB160N04S4LH1ATMA1
produsen:
Infineon Technologies
Deskripsi:
MOSFET N-CH TO263-7
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Kategori Produk ::
MOSFET
Vgs (Maks)::
+20V, -16V
Arus - Pengurasan Kontinyu (Id) @ 25°C ::
160A (Tc)
@ jumlah ::
0
Tipe FET::
Saluran-N
Tipe pemasangan ::
Permukaan Gunung
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs ::
190nC @ 10V
Pabrikan ::
Infineon Technologies
Kuantitas Minimum::
1000
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)::
4.5V, 10V
Stok Pabrik ::
0
Suhu Operasional ::
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fitur FET::
-
Seri ::
Otomotif, AEC-Q101, OptiMOS™
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds ::
14950pF @ 25V
Paket Perangkat Pemasok ::
PG-TO263-7-3
Status Bagian ::
Aktif
Kemasan ::
Pita & Gulungan (TR)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs ::
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Disipasi Daya (Maks)::
167W (Tc)
Paket / Kasus ::
TO-263-7, D²Pak (6 Prospek + Tab)
Teknologi ::
MOSFET (Oksida Logam)
Vgs(th) (Maks) @ Id ::
2.2V @ 110µA
Drain ke Tegangan Sumber (Vdss)::
40V
Pengantar
IPB160N04S4LH1ATMA1, dari Infineon Technologies, adalah MOSFET. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: